【单选题】
手机开机过程中LTE网络的EPC侧的描述正确的是:( )
A. S5接口上为GTP和PMIP协议的承载层建立
B. 建立默认的EPS承载
C. 分配IPv4和IPv6的地址
D. 建立专属的EPS承载
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答案
B
解析
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相关试题
【单选题】
CQT测试在( )地方。
A. 无信号的地方
B. 车外
C. 无所谓
D. 车内
【单选题】
下述哪条消息中可以获知UE注册的MME?( )
A. rrcConnectionReconfiguration
B. rrcConnectionSetup;
C. rrcConnectionSetupComplete;
D. rrcConnectionRequest;
【单选题】
以下操作中可能导致小区退服告警的是( )
A. 将该小区添加为其他小区的邻小区
B. 批量修改PCI
C. 打开小区负荷控制算法开关
D. 修改小区切换算法参数
【单选题】
LTE的测量报告中,( )表示服务小区信号质量高于一定门限。
A. Event A4
B. Event A2
C. Event A3
D. Event A1
【单选题】
目前阶段,LTE系统内的切换是基于( )。
A. RSSI
B. CQI
C. RSRQ
D. RSRP
【单选题】
NFV技术本质是强调网络网络功能的软硬件( )能力,实现网络价值由硬件向软件的迁移。
A. 协调
B. 解耦
C. 同化
D. 转发
【单选题】
NFV为统一控制平面。( )
A. 错误
B. 正确
【单选题】
电信网络架构发展的方向是什么?( )
A. 智能化
B. SDN/NFV
C. 虚拟化
D. IoT
【单选题】
互调干扰影响最严重的是几阶互调( )。
A. 五阶
B. 三阶
C. 四阶
D. 二阶
【单选题】
对于本身具备可靠性机制的应用层协议,( )适用作为传输层协议。
A. HDLC
B. UDP
C. ICMP
D. TCP
【单选题】
我们常说的“三次握手”是在TCP/IP协议结构的哪一层完成的( )。
A. 应用层
B. 网络层
C. 传输层
D. 网络接口层
【单选题】
以下哪个IPv6地址是有效地址?( )
A. 2001:0DB8:0000:130F:0000:0000:08GC:140B
B. 2031::130F::9C0:876A:130B
C. 2031:0:130F::9C0:876A:130B
D. 2001:0DB8:0:130H::87C:140B
【单选题】
对于LTE网络中的信令和消息,以下哪个消息可以进行HARQ重传( )。
A. RRC Connection setup
B. Random Access Response
C. Attach Request
D. Random Access Request
【单选题】
LTE系统内的切换完成,通常是以( )信令作为标志的。
A. eUTRAN Handover Complete
B. RRCConnectionReestablishmentComplete
C. Measurement Report
D. RRCConnectionReconfiguratioComplete
【单选题】
LTE下行没有采用哪项多天线技术 ?( )
A. FSTD(PBCH和PDCCH中使用)
B. TSTD
C. SFBC
D. 波束赋形
【单选题】
在X2handover中,由哪个网元负责通知SGW修改承载?( )
A. HSS
B. MME
C. PGW
D. eNodeB
【单选题】
下面协议子层不属于用户面的是:( )。
A. UDP
B. GTPU
C. RRC
D. RLC
【单选题】
第一次RF优化测试时应( )
A. 不需要遍历所有小区
B. 挑选一部分小区
C. 选择相同覆盖类型小区
D. 遍历区域内所有小区
【单选题】
上行信道带宽大小通过( )进行广播。
A. 系统信息(SIB)
B. 主广播信息(MIB)
【单选题】
按3GPP规范要求,在eSRVCC中总体语音中断需满足不超过( )ms的需求。
A. 500
B. 100
C. 300
D. 50
【单选题】
移动互联网业务感知测试APP在网速测试时使用什么协议?( )
A. https
B. http协议;
C. ICMP;
D. sftp协议;
【单选题】
网络中相邻小区存在PCI mod3冲突,那些指标会变差?( )
A. PCI
B. SINR
C. RSSI
D. RSRP
【单选题】
承载IMS会话的IP-CAN发生了变化,UE是否需要发起重新注册流程
A. 不确定
B. 否
C. 是
【单选题】
目前现网中,LTE同频切换主要是通过事件( )进行触发。
A. A4
B. A2
C. A3
D. A1
【单选题】
移动互联网业务感知分析系统中,用户个人信息在信息访问权限中属于什么等级?( )
A. 初级
B. 中高级;
C. 中级;
D. 最高;
【单选题】
下面哪个选项不是上行探测RS可配置的参数?( )
A. UE参数
B. SRS带宽
C. 时间间隔
D. SRS子帧配置
【单选题】
MIB消息在( )上传输。
A. PDSCH(下行物理共享信道)
B. PDCCH(下行物理控制信道)
C. PHICH(HARQ指示信道)
D. PBCH(物理广播信道)
【单选题】
以20M带宽为例,假设最大符号功率为20w,PA=-3,PB=1。此时RS功率最大值是( )
A. 10
B. 15
C. 18
D. 12
【单选题】
对于支持VoLTE的UE,无论是否有VoLTE会话,如果IMS域注册成功,则( )始终存在
A. QCI2+QCI8
B. QCI5+QCI9
C. QCI2+QCI9
D. QCI1+QCI8
【单选题】
以下哪个问题不能通过扫频仪数据来分析?( )
A. M0D3干扰
B. 窄带干扰;
C. 天馈接反;
D. 频率偏差;
【单选题】
关于三点干扰定位方法,下述说法不正确的是( )
A. 逐次逼近的方法是指在确定的干扰区域里,利用泰克干扰频谱仪使用定向天线按照仪器显示的干扰强度,多方向逐渐向干扰最强的位置逼近,最终发现干扰的方法
B. 三点干扰定位就是三个人在不同的三点同时进行干扰测试定位
C. 三点定区域是指对于存在的干扰频点,利用泰克干扰频谱仪使用定向天线在干扰附近测试三点,确定干扰所在的区域
D. 简单来说就是三点定区域,逐次逼近的方法
【单选题】
对于异系统干扰,在规划建设阶段就不需要关注的( )。
A. 工制式尽量水平分布
B. 系统间要保证合适的隔离度
C. 工制式尽量垂直分布
D. 避免不同制式的天线正对或斜对
【单选题】
现网中LTE终端需要报告以( )测量量,进行小区选择。
A. SINR
B. RSRQ
C. RSRP
D. RSSI
【单选题】
在LTE下行和上行信道中,存在一定的开销信道。在对业务信道覆盖估计时候,需要考虑这些开销信道影响。例如,如果要承载1000kbps业务速率,当DL下行总开销是20%时候,则至少要分配( )的资源才行。
A. 1000kbps/20%
B. 1000kbps*(1-20%)
C. 1000kbps*20%
D. 1000kbps/(1-20%)
【单选题】
天线安装时,定向天线方位角与规划数据误差不大于( )。
A. ±0.5°
B. ±3°
C. ±1°
D. ±5°
【单选题】
C/L数据业务互操作PGW与HSGW之间的接口是:( )。
A. S6a
B. S103
C. S2a
D. S102
【单选题】
语音包头开销:RTP 开销占( ),UDP 头开销占( ),IP 层的 IP 头开销占( )(IPv4)/40Byte (IPv6)
A. 12Byte,20Byte,20Byte
B. 12Byte,12Byte,20Byte
C. 8Byte,8Byte,20Byte
D. 12Byte,8Byte,20Byte
【单选题】
下行信道带宽大小由( )进行广播。
A. PDSCH
B. SIB
C. PDCCH
D. MIB
【单选题】
LTE话音解决方法中,哪种不是目前移动采用的方案( )?
A. OTT
B. CSFB
C. VOLTE
D. SVLTE
【单选题】
被终端用来发送混合ARQ确认的物理信道是:( )。
A. PCFICII
B. PUCCII
C. PRACH
D. PUSCII
推荐试题
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强,一般引入___负反馈。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
【单选题】
41为了提高三极管放大电路的输入电阻,采用___负反馈 i=i1+i2
A. 电流
B. 电压
C. 并联
D. 串联
【单选题】
42为了稳定输出电流,采用___负反馈。
A. 电流
B. 电压
C. 并联
D. 串联
【单选题】
43为了改善放大器的动态性能,应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
44为了稳定放大器的静态工作点,应该引入___电路。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 电压负反馈
D. 电流负反馈
【单选题】
45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路___能力。
A. 放大差模抑制共模
B. 输入电阻高
C. 输出电阻低
【单选题】
46差分放大电路是为了___而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
【单选题】
47分析运放的“虚短”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. U0=Ui
D. U-≈U+≈0
【单选题】
48分析运放的“虚断”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. I-≈I+
D. U-≈U+≈0
【单选题】
51两级放大电路,Au1=-40,Au2=-50,若输入电压U1=5mv,则输出电压Uo为 ___
A. -200mv;
B. -250mV;
C. 10V;
D. 100V
【单选题】
52通用型集成运放的输入级多采用___。
A. 共基接法
B. 共集接法
C. 共射接法
D. 差分接法
【单选题】
53理想运放的两个重要性质是___。
A. 虚短与虚地
B. 虚断与虚短
C. 断路与短路
【单选题】
54振荡器的输出信号最初由___而来的。
A. 基本放大器
B. 选频网络
C. 干扰或噪声信号
【单选题】
55产生正弦波自激震荡的稳定条件是___。
A. 引入正反馈
B. |AF|≥1
C. AF=1
【单选题】
56从结构上来看,正弦振荡电路是一个 ___ 。
A. 有输入信号的负反馈放大器;
B. 没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器;
C. 没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。
【单选题】
57对频率稳定度要求较高的振荡器,要采用: ___ 。
A. LC振荡电路;
B. RC振荡电路;
C. RL振荡电路;
D. 石英晶体振荡电路。
【单选题】
58在甲类、乙类、甲乙类放大电路中,其导通角分别为___
A. 小于180 O、180 O、360O
B. 360O、180 O、小于180 O。
C. 180 O、小于180 O、360O
【单选题】
W78XX系和列W79XX系列引脚对应关系为 ___ 。
A. 一致;
B. 1脚与3脚对调,2脚不变;
C. 1、2对调。
【单选题】
60两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ___ 。
A. β
B. β2
C. 2β
D. 1+β
【单选题】
1三极管的开关特性是___。
A. 截止相当于开关接通
B. 放大相当于开关接通
C. 饱和相当于开关接通
D. 截止相当于开关断开,饱和相当于开关接通
【单选题】
2数字集成门电路,目前生产最多应用最普遍的门电路是___
A. 与门
B. 或门
C. 非门
D. 与非门
【单选题】
3由一个三极管组成的基本门电路是___。
A. 与门
B. 非门
C. 或门 、D异或门
【单选题】
4在遥测系统中,需通过___把非电量的变化转变为电信号。
A. 电阻器、
B. 电容器、
C. 传感器、
D. 晶体管
【单选题】
5半导体发光数码管由___个条状的发光二极管组成。
A. 5
B. 6
C. 7
D. 8
【单选题】
6“有0出1,全1出0”属于___
A. 与逻辑
B. 或逻辑
C. 非逻辑
D. 与非逻辑
【单选题】
7二进制数11101转化成十进制数为___
A. 29
B. 57
C. 4
D. 15
【单选题】
8TTL系列集成芯片工作电源电压的典型值是___。
A. 18V
B. 5V
C. 3V
D. 10V
【单选题】
9能实现Y=0的电路是___图。
A. 图
B. 图
C. 图
D. 图
【单选题】
10以下表达式中符合逻辑运算法则的是___。
A. 1+1=10
B. A+A=2A
C. A+=1.
D. A·=1
【单选题】
11对于TTL与非门闲置输入端的处理,不可以___
A. 与有用输入端并联
B. 通过电阻3kΩ接电源
C. 接地
D. 接电源
【单选题】
12十线/四线优先编码器74LS147所用的输出代码为___。
A. 5421BCD码
B. 格雷码
C. 8421BCD码
D. 余3码
【单选题】
13为实现“线与”逻辑功能,应选用___
A. OC门
B. 与门
C. 异或门
D. 同或门
【单选题】
14和逻辑式A+ABC相等的式子是___
A. c
B. bc
C. abc
D. a
【单选题】
15逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是___
A. 真值表
B. 表达式
C. 逻辑图
D. 卡诺图
【单选题】
16与模拟电路相比,数字电路主要的优点是___。
A. 容易设计
B. 通用性强
C. 抗干扰能力强
【单选题】
17某门电路的输入输出波形如图所示,试问此逻辑门的功能是___。
A. 与非
B. 或非
C. 异或
D. 同或
【单选题】
18以下电路中常用于总线应用的有___。
A. TSL门
B. OC门
C. 漏极开路门
D. CMOS与非门