【多选题】
某公司申请到一个C类IP地址段,但要分配给6个子公司,最大的一个子公司有26台计算机。不同的子公司必须在不同的网段,则子网掩码应该设置为( )。
A. 255.255.255.192
B. 255.255.255.0
C. 255.255.255.224
D. 255.255.255.128
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答案
A
解析
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相关试题
【多选题】
对于高话务的室内区域,选择室内分布系统的信号源时,宜选择(??)作为信号源。
A. 射频拉远RRU
B. 宏蜂窝基站
C. 直放站
D. 微蜂窝基站
【多选题】
在开阔地,建筑物穿透损耗典型值是( )
A. 5db
B. 15db
C. 0db
D. 10db
【多选题】
VoLTE中承载IMS信令的是( )
A. QCI=2
B. QCI=9
C. QCI=5
D. QCI=8
E. QCI=1
【多选题】
C国U项目,在日常KPI监控中发现小区的RRC和ERAB建立成功率都很低,后来发现是外部干扰所致,下列属于外部干扰的是:( )。
A. 阻塞干扰
B. 杂散干扰
C. 互调干扰
D. 越区覆盖干扰
【多选题】
系统消息( )包含小区重选相关的其它E-UTRA频点和异频邻小区信息。
A. SIB4
B. SIB1
C. SIB5
D. SIB3
【多选题】
影响下行FTP下载速率的因素有( )。
A. 文件下载的进程数
B. UE所处无线环境的RSRP/SINR
C. FTP服务器的性能
D. 小区正在做业务的用户数量
【多选题】
UE的能力等级信息可以在哪条消息中读取?( )
A. InitialUEContextSetupRequest
B. RRCCONNECTIONRECONFIGURATION
C. MIB
D. CONNECTIONSETUPRECONFIGURATIONCOMPELTE
【多选题】
终端智能化是物联网发展的基础,通常指哪些方面的智能?( )
A. 管理智能
B. 联接智能
C. 安全智能
D. 组网智能
【多选题】
NB-IoT上行子载波间隔是( )。
A. 3.75KHz
B. 10KHz
C. 180KHz
D. 15KHz
【多选题】
NR中Long Truncated/Long BSR的MAC CE包含几个bit?( )
A. 6
B. 2
C. 8
D. 4
【多选题】
关于5G RLM下面描述正确的是( )。
A. 所有资源都比Q_out差,就上报OOS
B. 至少有一个资源比Q_out好,就上报IS
C. 所有资源都比Q_in差,就上报OOS
D. 至少有一个资源比Q_in好,就上报IS
【多选题】
5G单载波最大( )(<6GHz),单载波最大( )(>6GHz)
A. 100MHz,400MHz
B. 100MHz,200MHz
C. 50MHz,100MHz
D. 20MHz,100MHz
【多选题】
以下哪种天线增益最小?( )
A. 全向天线
B. 吸顶天线
C. 宏蜂窝覆盖的定向天线
D. 八木天线
【多选题】
移动通信系统包括 ( )。
A. 收信机
B. 馈线
C. 发信机
D. 天线
【多选题】
SDN的核心理念是,希望应用软件可以参与对网络的控制管理,满足上层业务需求,通过自动化业务部署简化网络运维。( )
A. 错误
B. 正确
【多选题】
在LTE中,以下( )信道是属于逻辑信道。
A. UL-SCH
B. DL-SCH
C. BCCH
D. CCCH
【多选题】
以下哪种场景可以判断为切换失败( )。
A. 源侧下发切换命令后,目标侧收到了对应的UE重配完成消息
B. eNB侧收到测量报告后,切换判决失败,向目标侧发起切换请求
C. 源侧向目标侧发起切换请求后没有收到响应信息
D. UE侧没有收到eNB发出的切换命令,不停上报测量报告后重建
【多选题】
以下哪些参数与同频切换相关?( )
A. s-Measure
B. ThreshServingLow
C. eventA3offset
D. hysteresis
【多选题】
基于无测量增加辅载波,下列哪条信令不属于CA切换流程( )。
A. CA UE根据测量配置进行测量,并向目标eNodeB上报测量报告
B. 终端添加辅载波完成后,发送重配置完成消息告知eNodeB
C. 目标eNodeB通过RRC重配置消息下发测量配置消息给UE,指示UE进行测量
D. eNodeB下发RRC重配置消息指示添加辅载波
【多选题】
哪些不是RF优化目的?( )
A. 控制导频污染
B. 提高切换成功率
C. 优化信号覆盖
D. 保证参数配置正确
【多选题】
请问下列哪些选项对LTE下行业务速率没有影响?( )
A. CCE
B. CQI
【多选题】
NB-IoT上行支持的最大重传次数是( )。
A. 512
B. 2048
C. 128
D. 1024
【多选题】
我国提出的“5G之花”关键性能中,未被ITU接受的是:( )。
A. 流量密度
B. 成本效率
C. 用户体验速率
D. 能效
【多选题】
PHR的全称是:( )。
A. Power Headroom Report
B. PUCCH Headroom Report
C. PRB Headroom Report
D. PUSCH Headroom Report
【多选题】
“AR”是指什么?( )
A. 增强现实
B. 5D全景
C. 虚拟现实
D. 3D全息
【多选题】
5G帧结构描述中,下面哪一项是错误的?( )
A. 上下行资源比例可在1:4到2:3之间调整
B. DCI format2-0用于动态指示帧结构
C. 帧结构配置可以由SIB静态帧结构配置
D. R15的协议中,RRC高层配置的tdd-UL-DL-ConfigurationDedicated定义了周期大小
【多选题】
CDMA手机是通过接收( )信道消息来获得长码状态.系统时间等消息的?
A. 同步
B. 业务
C. 导频
D. 寻呼
【多选题】
室内馈线布放应尽量使用( ),避免与强电高压管道和消防管道一起布放。
A. 风管井
B. 天井
C. 水管井
D. 弱电管井
【多选题】
和传统的MSTP相比,IPRAN在哪些方面存在优势()。
A. 提供柔性管道,提高了带宽的利用率
B. 具有很强的可靠性和可维护性
C. 支持L3功能
D. 具有丰富的数据业务处理能力
【多选题】
以下关于直放站施主天线的描述, ( )是正确的
A. 位置越高越好
B. 尽量使用方向性好的天线
C. 位置越低越好
D. 尽量使用全向天线
【多选题】
现有网络中,对流量的控制和转发都依赖于网络设备实现 。( )
A. 错误
B. 正确
【多选题】
下列选项中哪些方案可以实现语音业务?( )
A. SRVCC
B. SVLTE
C. SRLTE
D. CSFB
【多选题】
UE开机后,UE首先需要建立APN为( )的PDN链接。
A. CMNET
B. IMS
C. CMWAP
D. IPV4
【多选题】
以下哪个流程不是移动性管理流程?( )
A. TA更新
B. PCC策略控制
C. 分离
D. 附着
【多选题】
下面不是LTE的S1接口控制面功能有:( )
A. 干扰管理
B. 移动性管理
C. 寻呼管理
D. 负荷管理
【多选题】
以下不属于NB-IoT优势及关键技术的是( )。
A. 广覆盖
B. 高成本
C. 低功耗
D. 大连接
【多选题】
NPDCCH的聚合等级支持( )种。
A. 1
B. 4
C. 2
D. 3
【多选题】
在NB-IoT中,与小区重选过程有关的参数有( )。
A. SIB3/SIB5周期
B. 小区重选最小接收电平
C. 服务小区重选迟滞值.邻区偏置
D. 同频/异频测量人RSRP判决门限
【多选题】
5G低频新空口设计考虑中,针对低时延高可靠场景中,对如何有效降低空口时延的描述,下列哪些是正确的?( )
A. 帧结构方面,采用更短的帧长
B. 核心网功能下沉,移动内容本地化
C. 在波形方面,由于短的TTI设计导致CP开销过大,考虑采用无CP或多个符号共享CP的新波形
D. 多址技术方面,通过SCMA.PDMA.MUSA等技术实现免调度传输,实现上行数据包调度“零”等待时间
【多选题】
5G网络架构三个平面是( )。
A. 接入平面
B. 控制平面
C. 转发平面
D. 用户平面
推荐试题
【单选题】
正弦交流电压u=100Sin(628t + 600)V,它的最大值为___。
A. 100 V
B. 100 V
C. 60V
D. 628 V
【单选题】
能表示容性电路电压与电流关系的相量图是___。
A.
B.
C.
D.
【单选题】
如图判断同名端为___
A. a与c
B. a与 d
C. b与c
【单选题】
电路中___定律指出:流入任意一节点的电流必定等于流出该节点的电流。
A. 欧姆
B. 基尔霍夫电流
C. 楞次
D. 基尔霍夫电压
【单选题】
已知电源电压为12 V ,四只相同灯泡的工作电压都是6 V,要使灯泡都能正常工作,则灯泡应___
A. 全部串联
B. 两只并联后与另两只串联
C. 两两串联后再并联
D. 全部并联
【单选题】
用戴维南定理分析电路“入端电阻”时,应将内部的电流源___处理。
A. 作开路
B. 作短路
C. 不进行
【单选题】
任何一个含源二端网络都可以用一个适当的理想电压源与一电阻___来代替。
A. 串联
B. 并联
C. 串联或并联
D. 随意联接
【单选题】
用交流电流表测得交流电流10A,则电路中电流的最大值为___。
A. 10A
B. 14.1A
C. 20A
D. 70.7A
【单选题】
如右图所示电路中,已知各支路的电流I1=I2=10A, 则电路的总电流I为___。
A. 20A
B. 0 A
C. 14.1A
D. 50A
【单选题】
1杂质半导体中多数载流子的浓度取决于___
A. 温度
B. 杂质浓度
C. 电子空穴对数目
【单选题】
2在电场作用下,空穴与自由电子运动形成的电流方向___
A. 相同
B. 相反
【单选题】
3光敏二极管应在___下工作
A. 正向电压
B. 反向电压
【单选题】
4下列半导体材料哪一种的热敏性突出“导电性受温度影响最大”?___
A. 本征半导体
B. N型半导体质
C. P型半导体
【单选题】
5用万用表电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均近于1000KΩ,这说明该二极管是属于___。
A. 短路状态;
B. 完好状态;
C. 断路状态;
D. 极性搞错。
【单选题】
6稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在___状态。
A. 正偏
B. 反偏 E、正向导通 F、截止
【单选题】
7三端集成稳压器CW7812的输出电压是___。
A. 12V
B. 5V
C. 9V
【单选题】
8三端集成稳压器CXX7805的输出电压是___
A. 5v
B. 9v
C. 12v
【单选题】
9一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中___。
A. 有微弱电流
B. 无电流
C. 有瞬间微弱电流
【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时,二极管才导通。
A. 击穿电压;
B. 死区;
C. 饱和。
【单选题】
11当温度升高时,二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大;
B. 减小;
C. 不变;
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
A. 大
B. 小
C. 相等
【单选题】
13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___
A. -12v
B. -9v
C. -6V
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问___灯最亮。
A. A灯
B. B灯
C. C灯
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___,从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻;
B. 电容;
C. 三极管;
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为___
A. 放大状态;
B. 截止状态;
C. 饱和状态;
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流,又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___;
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC ___uB。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uB___uE 。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为,,,说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区