【单选题】
下面哪些不属于覆盖问题?( )
A. 弱覆盖
B. 无主导小区
C. 越区覆盖
D. 频率规划不合理
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答案
D
解析
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相关试题
【单选题】
在专有承载建立过程中,S1上行GTPU隧道ID和S5下行GTPU隧道ID是由( )分配的。
A. MME;
B. PGW;
C. SGW;
D. HSS
【单选题】
关于LTE的小区间干扰抑制技术,下列说法错误的是( )
A. OI是一种事后控制策略
B. HII是一种事前控制策略
C. RNTP是一种事后控制策略
【单选题】
哪些不属于系统信息获取流程的时机?( )
A. 重新进入覆盖区域
B. 手机开机后
C. 切换完成之后
D. 手机通话结束后
【单选题】
传送RRCConnectionRequest,启动( )定时器。
A. T300;
B. T302;
C. T301;
D. T303
【单选题】
根据控制信令中包含的信息种类,PUCCH支持( )种不同的格式。
A. 5
B. 7
C. 6
D. 8
【单选题】
一般城区的电子地图精度要求为( )
A. 5m
B. 20m
C. 10m
D. 50m
【单选题】
以下关于UpPTS描述不正确的是:( )
A. UpPTS可以发送短RACH(做随机接入用)和SRS(Sounding参考信号)
B. UpPTS不能传输上行信令或数据
C. 最多仅占两个OFDM符号
D. 承载Uppch,用来进行随机接入
【单选题】
Cell-specificReferenceSignalsPower参数通过( )广播方式通知UE。
A. MIB
B. SIB2
C. SIB1
D. SIB3
【单选题】
单站点验证的目标是( )
A. 确保站点安装和参数配置正确
B. 查看人流量是否足够
C. 查看UE是否正常
D. 查看是否影响周围环境
【单选题】
LTE能支持64QAM的最小的MCSIndex值是:( )。
A. 15
B. 17
C. 16
D. 18
【单选题】
( )作为 Srvcc 的过度解决方案。
A. CSFB
B. GSM
C. SvLTE
D. TDSCDMA-AMR
【单选题】
LTE系统中UE的切换方式采用( )。
A. 软切换
B. 硬切换
C. 软切换和硬切换其它
【单选题】
路测频谱扫描的主要目的是用于发现( )
A. 可能存在的干扰区域
B. 干扰位置
C. 干扰频点
D. 干扰强度
【单选题】
对于PRACH信道,Format 0格式可配的Configuration Index有( )个。
A. 16
B. 32
C. 64
D. 128
【单选题】
VoLTE较传统的4G架构新增网元为?( )
A. ICSCF
B. MME
C. PCRF
D. HSS
【单选题】
PCell是UE初始接入时的cell,负责与UE之间的RRC通信。SCell是通过( )建立。
A. RRC初始连接
B. RRC建立完成
C. RRC重配置
D. RRC连接请求
【单选题】
哪个模式为其他MIMO模式的回退模式( )
A. TM1
B. TM3
C. TM2
D. TM4
【单选题】
哪些不属于手机开机第一步流程?( )
A. PLMN选择
B. 位置登记
C. 小区驻留
D. 安全激活
【单选题】
中国电信LTE网络的PLMN是:( )。
A. 46003
B. 46011
C. 46006
D. 46016
【单选题】
天线端口是由( )来定义的。
A. 参考信号
B. RE
C. PCI
D. REG
【单选题】
在随机接入流程中,消息( )是用来解决竞争的。
A. Msg1
B. Msg3
C. Msg2
D. Msg4
【单选题】
下列哪个定时器超时意味着LTE FDD中的切换失败?( )
A. T303
B. T310
C. T304
D. T311
【单选题】
在UE执行TA update时,HSS通过哪条消息将用户签约数据下发给MME?( )
A. Insert Subscriber data
B. Modify bearer request
C. Update Location answer
D. Create session Request
【单选题】
CA使用后主要考虑对基于用户数和PRB利用率接纳功能的影响,基于用户数的接纳在( )进行,且考虑每个小区UE数。
A. PCell
B. PCell和SCell同时
C. SCell
D. 以上都不正确
【单选题】
下列选项哪个不是形成导频污染的主要原因?( )
A. 基站选址
B. 天线选型
C. 小区布局
D. 天线挂高
【单选题】
TTI绑定技术中捆绑在一起子帧采用( )个HARQ进程
A. 1
B. 3
C. 2
D. 4
【单选题】
关于SIP协议中响应消息描述错误的是?
A. 1XX 表示已经接收到请求消息,正在对其进行处理
B. 3XX 表示需要采取进一步动作,以完成该请求
C. 2XX 表示请求已经被成功接收、处理
D. 4XX 表示SIP服务器故障不能完成对正确消息的处理
【单选题】
进行VoLTE语音测试时,空口信令中我们可以在( )信令看到QCI=9和QCI=5被激活。
A. RRCConnectionRequest
B. RRCConnectionReconfiguration
C. S1 Initial Context Setup Request
D. RRCConnectionReconfigurationComplete
【单选题】
LTEANR的过程中,UE通过( )信道获得邻区的GCI信息。
A. BCH
B. SIB
C. MIB
D. CCH
【单选题】
LTE网络规划中,容量估算与( )互相影响。
A. 链路预算;
B. 建网成本;
C. PCI规划;
D. 网络优化
【单选题】
簇的数量应根据实际情况决定,不宜过多或过少。根据经验,( )个基站为一簇比较合适。
A. 小于10
B. 50个以上
C. 15-25
D. 100个左右
【单选题】
S1释放过程将使UE从( )。
A. ECM-CONNECTED到ECM-IDLE
B. ECM-CONNECTED到ECM-CONNECTED
C. ECM-IDLE到ECM-CONNECTED
D. ECM-IDLE到ECM-IDLE
【单选题】
eNodeB下发TA给UE是为了( )。
A. 使UE获得上行时间同步
B. 测试下行信道质量并反馈给基站
C. 是UE获得上行频率同步
D. 基站的准入技术
【单选题】
NB-IoT小区定点测试时好点Ping的时延要求是( )。
A. 小于1.5s
B. 小于10s
C. 小于3s
D. 小于15s
【单选题】
NB-IoT的优势及关键技术的广覆盖的增益是( )?
A. 10db
B. 30db
C. 20db
D. 40db
【单选题】
NB-IoT系统中,信道带宽 (channel bandwidth) 为( )。
A. 3.75KHz
B. 180KHz
C. 15KHz
D. 1.4MHz
【单选题】
NB-IoT基于竞争的随机接入过程中,UE如何获取NPRACH的信息( )。
A. 监听SIB2-NB获取NPRACH资源信息
B. 通过eNB随机下发
C. 通过preamble获取
【单选题】
CE Level分为几个等级?( )
A. 1
B. 3
C. 2
D. 4
【单选题】
5G的愿景是( )。
A. 信息随心至,万物触手及
B. 高速率,高可靠
C. 一切皆有可能
D. 万物互联
【单选题】
以下哪个是用于SRS传输的PHR?( )
A. Type1
B. Type3
C. Type2
D. Type4
推荐试题
【单选题】
用戴维南定理分析电路“入端电阻”时,应将内部的电流源___处理。
A. 作开路
B. 作短路
C. 不进行
【单选题】
任何一个含源二端网络都可以用一个适当的理想电压源与一电阻___来代替。
A. 串联
B. 并联
C. 串联或并联
D. 随意联接
【单选题】
用交流电流表测得交流电流10A,则电路中电流的最大值为___。
A. 10A
B. 14.1A
C. 20A
D. 70.7A
【单选题】
如右图所示电路中,已知各支路的电流I1=I2=10A, 则电路的总电流I为___。
A. 20A
B. 0 A
C. 14.1A
D. 50A
【单选题】
1杂质半导体中多数载流子的浓度取决于___
A. 温度
B. 杂质浓度
C. 电子空穴对数目
【单选题】
2在电场作用下,空穴与自由电子运动形成的电流方向___
A. 相同
B. 相反
【单选题】
3光敏二极管应在___下工作
A. 正向电压
B. 反向电压
【单选题】
4下列半导体材料哪一种的热敏性突出“导电性受温度影响最大”?___
A. 本征半导体
B. N型半导体质
C. P型半导体
【单选题】
5用万用表电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均近于1000KΩ,这说明该二极管是属于___。
A. 短路状态;
B. 完好状态;
C. 断路状态;
D. 极性搞错。
【单选题】
6稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在___状态。
A. 正偏
B. 反偏 E、正向导通 F、截止
【单选题】
7三端集成稳压器CW7812的输出电压是___。
A. 12V
B. 5V
C. 9V
【单选题】
8三端集成稳压器CXX7805的输出电压是___
A. 5v
B. 9v
C. 12v
【单选题】
9一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中___。
A. 有微弱电流
B. 无电流
C. 有瞬间微弱电流
【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时,二极管才导通。
A. 击穿电压;
B. 死区;
C. 饱和。
【单选题】
11当温度升高时,二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大;
B. 减小;
C. 不变;
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
A. 大
B. 小
C. 相等
【单选题】
13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___
A. -12v
B. -9v
C. -6V
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问___灯最亮。
A. A灯
B. B灯
C. C灯
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___,从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻;
B. 电容;
C. 三极管;
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为___
A. 放大状态;
B. 截止状态;
C. 饱和状态;
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流,又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___;
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC ___uB。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uB___uE 。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为,,,说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
【单选题】
34若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是___。
A. 发射结正偏、集电结正偏
B. 发射结反偏、集电结反偏
C. 发射结正偏、集电结反偏
D. 发射结反偏、集电结正偏
【单选题】
35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
D. 频率失真
【单选题】
37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。
A. 电压串联负反馈
B. 电流串联负反馈
C. 电压并联负反馈
【单选题】
38为了使放大器带负载能力强,一般引入___负反馈。
A. 电压
B. 电流
C. 串联