【单选题】
在正弦交流电的解析式i=ImSin(ωt +φ)中,φ表示___
A. 频率
B. 相位
C. 初相位
D. 相位差
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答案
C
解析
暂无解析
相关试题
【单选题】
正弦交流电压u=100Sin(628t + 600)V,它的最大值为___。
A. 100 V
B. 100 V
C. 60V
D. 628 V
【单选题】
能表示容性电路电压与电流关系的相量图是___。
A.
B.
C.
D.
【单选题】
如图判断同名端为___
A. a与c
B. a与 d
C. b与c
【单选题】
电路中___定律指出:流入任意一节点的电流必定等于流出该节点的电流。
A. 欧姆
B. 基尔霍夫电流
C. 楞次
D. 基尔霍夫电压
【单选题】
已知电源电压为12 V ,四只相同灯泡的工作电压都是6 V,要使灯泡都能正常工作,则灯泡应___
A. 全部串联
B. 两只并联后与另两只串联
C. 两两串联后再并联
D. 全部并联
【单选题】
用戴维南定理分析电路“入端电阻”时,应将内部的电流源___处理。
A. 作开路
B. 作短路
C. 不进行
【单选题】
任何一个含源二端网络都可以用一个适当的理想电压源与一电阻___来代替。
A. 串联
B. 并联
C. 串联或并联
D. 随意联接
【单选题】
用交流电流表测得交流电流10A,则电路中电流的最大值为___。
A. 10A
B. 14.1A
C. 20A
D. 70.7A
【单选题】
如右图所示电路中,已知各支路的电流I1=I2=10A, 则电路的总电流I为___。
A. 20A
B. 0 A
C. 14.1A
D. 50A
【单选题】
1杂质半导体中多数载流子的浓度取决于___
A. 温度
B. 杂质浓度
C. 电子空穴对数目
【单选题】
2在电场作用下,空穴与自由电子运动形成的电流方向___
A. 相同
B. 相反
【单选题】
3光敏二极管应在___下工作
A. 正向电压
B. 反向电压
【单选题】
4下列半导体材料哪一种的热敏性突出“导电性受温度影响最大”?___
A. 本征半导体
B. N型半导体质
C. P型半导体
【单选题】
5用万用表电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均近于1000KΩ,这说明该二极管是属于___。
A. 短路状态;
B. 完好状态;
C. 断路状态;
D. 极性搞错。
【单选题】
6稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在___状态。
A. 正偏
B. 反偏 E、正向导通 F、截止
【单选题】
7三端集成稳压器CW7812的输出电压是___。
A. 12V
B. 5V
C. 9V
【单选题】
8三端集成稳压器CXX7805的输出电压是___
A. 5v
B. 9v
C. 12v
【单选题】
9一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中___。
A. 有微弱电流
B. 无电流
C. 有瞬间微弱电流
【单选题】
10二极管两端正向电压大于___电压时,二极管才导通。
A. 击穿电压;
B. 死区;
C. 饱和。
【单选题】
11当温度升高时,二极管的反向饱和电流 ___ 。
A. 增大;
B. 减小;
C. 不变;
D. 无法判定。
【单选题】
12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。
A. 大
B. 小
C. 相等
【单选题】
13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___
A. -12v
B. -9v
C. -6V
【单选题】
14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 反向击穿特性
【单选题】
15二极管具有___
A. 正向特性
B. 反向特性
C. 单向导电特性
D. 反向击穿特性
【单选题】
16图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问___灯最亮。
A. A灯
B. B灯
C. C灯
【单选题】
18在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
19在单相桥式整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
20在半波整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
21在半波整流电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为___。
A. U0=0.45U2
B. U0=1.2U2
C. U0=0.9U2
D. U0=1.4U2
【单选题】
22温度影响了放大电路中的___,从而使静态工作点不稳定。
A. 电阻;
B. 电容;
C. 三极管;
D. 电源。
【单选题】
23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是___。
A. [B、C、E]
B. [C、B、E]
C. [E、C、B]
【单选题】
24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___
A. 饱和失真
B. 截止失真
C. 交越失真
【单选题】
25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
【单选题】
27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结也为正向偏置,则此管的工作状态为___
A. 放大状态;
B. 截止状态;
C. 饱和状态;
D. 不能确定。
【单选题】
28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
29在以下三种电路中既能放大电流,又能放大电压的电路是___。
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___;
A. 共基放大电路
B. 共集放大电路
C. 共射放大电路
【单选题】
当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uC ___uB。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
32当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uB___uE 。
A. >
B. <
C. =
D. ≤
【单选题】
33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为,,,说明此三极管处在___。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 反向击穿区
推荐试题
【单选题】
在CDMA2000 系统中, 由于增加了哪个信道, 从而使得手机电池能有更长的待机时间?( )
A. 补充信道 (Supplemental)
B. 反向基本信道 ( Reverse Fundamental)
C. 功率控制信道 (Power Control)
D. 快速寻呼信道(QuickPaging)
【单选题】
CDMA2000 1x系统,移动台通话结束后会进入( )状态。
A. 空闲状态
B. 重新登记
C. 初始化状态
D. ,重新鉴权
【单选题】
以下各项中对手机接收功率不产生影响的是( )。
A. 路径损耗
B. 基站天线增益
C. 天馈线损耗
D. 分集接收增益
【单选题】
当建立一个以太网连接时,需要连接两个 以太网段,使用哪种以太网技术完成该任务? ( )
A. Vlan标记
B. ARP
C. 路由
D. 桥接
【单选题】
你对天线的增益(dBd)是如何认识的? ( )
A. 全向天线没有增益,而定向天线才有增益
B. 天线是无源器件,不可能有增益,所以此值没有实际意义
C. 这是一个绝对增益值
D. 这是一个与集中幅射有关的相对值
【单选题】
在某区域接收到的信号电平为-50 dBm,在该频率的干扰电平为-80 dBm,请问C/I值是多少?( )
A. 3dB
B. E-100dB
C. 30dB
D. 60dB
E. 6dB
【单选题】
多径信号合成后其相位服从( )
A. 对数正态分布
B. 均匀分布
C. 瑞利分布
D. 正态分布
【单选题】
1个64QAM调制的符号代表( )位信息比特。
A. 8
B. 4
C. 2
D. 6
【单选题】
下面哪些信令可以携带SCG Failure information?( )
A. NR侧的SCGFailureInformationNR
B. LTE侧的SCGFailureInformationNR
C. LTE侧的SCGFailureInformation
D. NR侧的SCGFailureInformation
【单选题】
定向天线方位角误差不大于( )。
A. ±10°
B. ±3°
C. ±2°
D. ±5°
【单选题】
避雷针要有足够的高度,能保护铁塔或杆上的所有天线,所有室外设施都应在避雷针的( )度保护角之内。
A. 90
B. 45
C. 30
D. 60
【单选题】
在下列给出的协议中,不是 TCP/IP 的应用层协议的是( )。
A. SMTP
B. FTP
C. HTTP
D. UDP
【单选题】
LTE下行覆盖能力最强的控制信道是:( )
A. PDCCH
B. PCFICH
C. PBCH
D. PHICH
【单选题】
LTE系统内移动性测量事件有几种?( )
A. 6
B. 4
C. 3
D. 5
【单选题】
eSRVCC方案相对于SRVCC方案的增强在于减少了切换时长,eSRVCC切换时长小于( )。
A. 300ms
B. 40ms
C. 20ms
D. 160ms
【单选题】
频内测量释放的时机是( )。
A. RRC连接建立后
B. 状态转入RRC_IDLE
C. 由其它系统切换进入EUTRAN之后
D. 频内切换/频间切换后
【单选题】
下面协议子层不属于控制面的是:( )。
A. NAS
B. S1AP
C. SCTP
D. GTPU
【单选题】
下列哪个信号属于LTE上行参考信号( )。
A. PSS
B. CRS
C. SRS
D. CSI-RS
【单选题】
以下哪种RLC实体最适合用于VoIP业务?( )
A. AM
B. TM
C. UM
【单选题】
用于 TDLTE VoIP 业务的最佳资源调度方案是( )
A. 半持续调度
B. 动态调度
C. 静态调度
D. 半静态调度
【单选题】
基于负荷的测量事件是( )。
A. A4
B. A2
C. A1
D. A3
【单选题】
单站检查不包括以下哪项工作?( )
A. 制定日报和周报,以及下周工作计划
B. 前后台配置及告警检查
C. 天馈系统和无线参数检查
D. 性能检查
【单选题】
关于基于非竞争的随机接入说法不正确的是( )。
A. LTE切换一定属于非竞争的随机接入。
B. 基站分配一条专用的前导序列
C. 在切换或有下行数据到达时(上行失步)使用非竞争的随机接入
D. 通过三步完成同步过程,无须解决冲突
【单选题】
LTE R8协议中,定义了几种PDSCH的传输模式?( )
A. 8
B. 6
C. 5
D. 7
【单选题】
以下哪个参数用于切换控制?( )
A. ThreshXLow
B. sNonintraSearch
C. sIntraSearch
D. eventA3Offset
【单选题】
LTE下行覆盖受限信道是:( )
A. PCFICH
B. PDCCH
C. PBCH
D. PHICH
【单选题】
以下哪些不是LTE切换技术特点?( )
A. 软切换
B. 后向切换
C. 硬切换
D. 终端辅助切换
【单选题】
机械下倾只是在架设时倾斜天线,多用于角度小于( )的下倾,当再进一步加大天线下倾的角度时,覆盖正前方出现明显凹坑,两边也被压扁,天线方向图畸变,引起天线正前方覆盖不足同时对两边基站的干扰加剧。
A. 20°
B. 10°
C. 5°
D. 15°
【单选题】
以下关于切换重建立的说法正确的是( )。
A. RRC重建立是UE发起的
B. RRC重建立只会重建立到源和目的小区
C. RRC重建立一定会导致业务数据的丢失
D. RRC重建立不会增加业务数据的时延
【单选题】
移动互联网业务感知测试APP采集手机相关信息中不包括:( )。
A. IMEI
B. 手机型号
C. 电池型号
D. IMSI
【单选题】
LTE采用的是哪种切换?( )
A. 接力切换
B. 硬切换
C. 软切换
D. 更软切换
【单选题】
FDDLTE小区重选优先级设置范围是:( )。
A. l7
B. 0255;
C. l254;
D. 07;
【单选题】
Volte通话如果要达到较高MOS值,丢包率要求( )
A. < 0.5%
B. >5%
C. >1.5%
D. <5%
E. <1.5%
【单选题】
关于A3事件参数,加大哪个时,不可以减少A3事件的触发?( )
A. cellIndividualOffset_n
B. eventA3Offset
C. hysteresis
D. cellIndividualOffset_s
【单选题】
被叫收到寻呼但未收到 INVITE 消息,问题定位为( )
A. 无线网问题
B. 核心网与无线网配合问题
C. 核心网问题
D. IMS 网络问题
【单选题】
如同4G网络需要开机或者outof service一段时间后进行注册附着流程一样,IMS子系统的用户同样需要进行在( )的注册
A. IBCF
B. S-CSCF
C. P-CSCF
D. I-CSCF
【单选题】
LTE系统消息主要包括MIB和SIB,在异系统互操作中,UTRAN的重选信息由( )携带。
A. SIB7
B. SIB5
C. SIB4
D. SIB6
【单选题】
频域资源调度的最重要的依据是:( )
A. 缓存数据量
B. UE能力
C. CQI
D. 系统带宽
【单选题】
下面哪个度数的机械下倾可能会产生波瓣畸变?( )
A. 3
B. 8
C. 5
D. 15
【单选题】
关于Cat3UE在20M带宽TD-LTE不同模式下峰值速率说法正确的是:( )
A. TM3>TM8>TM2>TM7
B. TM2<tm3<tm7<="" div="">
C. TM3=tm8>TM2=TM7
D. TM3>TM8>TM7>TM2