【单选题】
613.(A320)下列说法不正确的是?___
A. A.真空泵是离心式的
B. B.废水箱底部的液面传感器是静压式
C. C.废水箱顶部的液面传感器是超声波式
D. D.马桶座杯由钛合金制成,内侧涂覆不粘涂层
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答案
D
解析
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相关试题
【单选题】
614.(A320)飞机有电,扳动加水/排水valve手柄到FILL位给水箱加水___
A. A.加水/排水valve由电控马达打开
B. B.位于勤务面板上的溢流valve灯会点亮
C. C.水箱加满后,必须人工关闭加水/排水valve
D. D.务必要关断洗手间内的人工关断valve
【单选题】
792.(A320)下列关于饮用水系统叙述正确的是___
A. A.饮用水水箱在气源系统无压力时,厕所无水供应,厨房不受影响
B. B.加水/排水valve只能通过人工作动手柄控制开关
C. C.水量传感器的低水量电门断开,则水加热器断电
D. D.排放饮用水系统时,溢流valve关闭
【单选题】
927.(A320)灰水排放系统中的排放valve的描述正确的是:___
A. A.允许隔离排水槽和洗手盆
B. B.防止客舱增压空气持续泄漏
C. C.防止洗手盆被隔离
D. D.MEL放行时使用
【单选题】
984.(A320)巡航时按压厕所冲水电门,真空泵却没有工作___
A. A.真空泵故障
B. B.另一个厕所刚刚按压了冲水电门
C. C.高度电门断开
D. D.以上皆有可能
【单选题】
下列说法不正确的是?___
A. 真空泵是离心式的
B. 废水箱底部的液面传感器是静压式
C. 废水箱顶部的液面传感器是超声波式
D. 马桶座杯由钛合金制成,内侧涂覆不粘涂层
【单选题】
在ECAME/W的右备忘区显示ACARSMSG表示:___
A. A.ACARS出现次要故障,给出警告信息
B. B.ATIMS接收到一个呼叫请求信息
C. C.VHF3不能有效地发送数据信息
D. D.ATIMS接受到一个AOC信息
【单选题】
在什么时候ATIMS可以进行空地通讯?___
A. A.只要接通电源
B. B.只要完成系统的初始化
C. C.完成系统的初始化并且飞机在空中
D. D.只要飞机在空中就可以
【单选题】
ATSU的连接测试用于:___
A. A.检查VHF3和飞机、地面之间的联系
B. B.仅检查VHF3系统和和地面的联系
C. C.检查ATSU的工作是否正常
D. D.仅检查VHF3和飞机系统之间的联系
推荐试题
【单选题】
ZP·WD型18信息移频轨道电路,在机车入口端轨面,用_______标准分路电阻线分路时,应满足动作机车信号的最小短路电流的要求。[311010103]___
A. 0.03Ω
B. 0.04Ω
C. 0.05Ω
D. 0.06Ω
【单选题】
ZP·WD型18信息移频轨道电路,在调整状态下,受电端接收盒限入电压应不小于_______,轨道电路应可靠工作。[322010101]___
A. 240mV
B. 250mV
C. 280mV
D. 290mV
【单选题】
线圈中的感应电动势大小与线圈中_______。[322010102]___
A. 磁通的大小成正比
B. 磁通的大小成反比
C. 磁通的大小无关,而与磁通的变化率成正比
D. 磁通的大小无关,而与磁通的变化率成反比
【单选题】
双向运行的自动闭塞区段,当区间被占用或轨道电路失效时,经两站工作人员确认后_______。[312030204]___
A. 可通过规定的手续改变运行方向
B. 立刻命令列车停车
C. 不可通过规定的手续改变运行方向
D. 可改变闭塞方式
【单选题】
双向运行的自动闭塞区段,当发生设备故障或受外电干扰时,_______。[333030204]___
A. 不得出现敌对发车状态
B. 可以出现敌对发车状态
C. 不能发车
D. 不能接车
【单选题】
闭塞设备中,当任一元件、部件发生故障或钢轨绝缘破损时,_______。[333020201]___
A. 可以出现信号的升级显示
B. 均不得出现信号的升级显示
C. 信号显示不变
D. 信号灭灯
【单选题】
非电气化区段4信息移频自动闭塞,交流电源为正弦波,其电压波动范围不大于_______时应可靠工作。[311010101]___
A. 180V±20V
B. 200V±22V
C. 220V±22V
D. 240V±24V
【单选题】
非电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标输入阻抗_______。[331010103]___
A. 2.0Ω~2.3Ω
B. 2.3Ω~2.5Ω
C. 3.0Ω~3.3Ω
D. 4.0Ω~4.5Ω
【单选题】
非电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标引线端子对机壳绝缘_______。[311010103]___
A. 大于25MΩ
B. 小于25MΩ
C. 大于30MΩ
D. 小于30MΩ