下面哪种PUCCH的bit个数小于2？（）_答案

【单选题】

下面哪种PUCCH的bit个数小于2？（）

A. PUCCH format 3

B. PUCCH format 2

C. PUCCH format 1

D. PUCCH format 4

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【单选题】

5G网络使用的信道编码方式是（）。

A. QAM

B. PN Code

C. GMSK

D. Polar

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【单选题】

SCG failure 后，下面正确的是（）。

A. 安全模式未建立情况下，启动重建流程

B. 安全模式已建立情况下，回IDLE

C. 安全模式已建立情况下，启动重建流程

D. 不重建，触发SCG failure后，向MCG上报SCGFailureInformationNRmessage

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下面哪个不是5G的网络架构？（）

A. 网络资源层

B. 网络控制层

C. 管理层

D. 汇聚层

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5G NR中一个1ms子帧包含（）个时隙

A. 3

B. 2

C. 1

D. 多

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3D波束赋形说法正确的是（）。

A. 相当于双流波束赋形

B. 增加垂直方向波束

C. 增加水平方向波束

D. 是4G技术

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【单选题】

下列选项中哪个是5G NR下PUCCH配置特点？（）

A. 跳频

B. 固定14个符号

C. 系统带宽两端

D. 灵活长度

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RAKE接收机的基本原理是利用了（）技术。

A. 时间分集

B. 极化分集

C. 分集接收

D. 频率分集

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CDMA系统是自干扰系统,在反向链路主要是( )受限。

A. 干扰

B. CE

C. 功率

D. 码资源

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【单选题】

在CDMA 1X系统中，下列（）消息不是由寻呼信道传送。

A. 信道列表消息

B. 接入参数消息

C. 系统参数消息

D. 切换指示消息

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快衰落分为空间选择性快衰落．（）选择性快衰落和时间选址性快衰落。

A. 地点

B. 频率

C. 损耗

D. 合并

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【单选题】

天线增益一般常用dBd和dBi两种单位，0dBd=（）dBi。

A. 12.15

B. 3

C. 6

D. 2.15

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【单选题】

地铁覆盖中，各运营商通过（）将信号合路到泄漏电缆上。

A. 耦合器

B. 功分器

C. 滤波器

D. POI

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EIRP是（）端口的发射功率。

A. 机顶口

B. 天线口

C. RRU口

D. 馈线口

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引起基站覆盖范围小的可能原因有：（）

A. 基站接收灵敏度变差

B. 地理环境的改变

C. 以上都是

D. 基站发射功率变低

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【单选题】

室分系统设计中，有PS．T．ANT等常用英文缩写，其中PS代表（）。

A. 耦合器

B. 天线

C. 馈线

D. 功分器

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【单选题】

在城市内，如果不考虑干扰因素，对无线电波传播影响最大的是: （）

A. 快衰落

B. 建筑物吸收

C. 慢衰落

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【单选题】

对于10W的功率，按dBm单位进行折算后的值应为？（）

A. 20 ？

B. 30

C. 40？

D. 10

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【单选题】

网络结构虚拟化是指云端的虚拟基站集群构成虚拟网络，利用 SDN技术动态优化网络结构。（）

A. 正确

B. 错误

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【单选题】

在DNS查询中，传输协议的查询是在下列哪一步进行的？（）

A. NAPTR

B. AAAA

C. SRV

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【单选题】

重配置消息释放 DRB 承载, 问题定位为( )

A. 核心网与无线网配合问题

B. IMS 网络问题

C. 无线网问题

D. 核心网问题

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【单选题】

为了提高小区覆盖的RSRP，采用RS power boosting技术，最高可以提高几个dB？（）

A. 3dB

B. 6dB

C. 9dB

D. 1dB

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【单选题】

PBCH共占用( )个RB资源。

A. 7

B. 8

C. 9

D. 6

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【单选题】

以下是哪个节点是eSRVCC中媒体面的锚点？( )

A. ATCF

B. ATGW

C. ACCAS

D. MME

E. Emsc

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【单选题】

目前VoLTE不与以下哪个业务互斥?（）

A. 一号通

B. 一机双号

C. 短信回执

D. 来电助手

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【单选题】

某小区下测试发现信号良好但是无法驻留，最终驻留到较弱的邻区，可能原因为( )。

A. 测量未配置

B. 邻区未配置

C. A3门限过高

D. 最小接入电平设置过高

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【单选题】

以下哪个不属于RRC_CONNECTED状态特征？( )

A. NAS配置UE指定的DRX

B. 邻区测量

C. E-UTRAN中存在UE的上下文

D. 网络控制移动性过程，例如切换

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【单选题】

VOLTE 的语音静默期是( )

A. 20ms

B. 80ms

C. 160ms

D. 40ms

E. 320ms

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【单选题】

邻区比服务小区质量高于一个绝（相对）对门限，用于频内/ 频间基于覆盖的切换是基于（）事件的切换。

A. A5

B. A2

C. B1

D. A3

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【单选题】

使用 LTE 分组域支持话音业务的技术方案是:（）

A. VOLTE、SRVCC

B. 双待机

C. CSFB

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【单选题】

什么是VoLTE？（）

A. 4G+高清语音

B. 视频通话

C. 语音通话

D. 4G+网络加速

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【单选题】

MIB消息由（）信道承载。

A. PUSCH

B. BCH

C. PDCCH

D. PDSCH

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【单选题】

LTE系统中，UE的位置更新流程是( )。

A. RAU

B. TAU

C. SAU

D. LAU

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【单选题】

中国电信现有LTE/eHRPD间互操作，大都使用( )方式。

A. 重选

B. 优化切换方式

C. 非优化切换方式

D. 增强切换方式

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【单选题】

VoLTE中的语音编码AMR-WB的码率有( )种

A. 9

B. 4

C. 16

D. 8

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【单选题】

LTE FDD中，B2事件是指（）。

A. 异系统邻区好于门限

B. 邻区好于服务小区一个偏置

C. 服务小区差于门限1，且异系统邻区好于门限2

D. 服务区小区好于门限

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【单选题】

定时器T300的作用是（）

A. UE监测到无线链路失败后转入RRC_IDLE状态的等待时间

B. UE等待RRC连接响应的时间

C. UE等待RRC重建响应的时间

D. UE监测无线链路失败的等待时间

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【单选题】

天馈严重驻波比告警是指驻波比值（）

A. >1.5

B. >2

C. >3.0

D. >1.2

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【单选题】

LTE中，DCI2a信息中TPC=1表示什么含义？( )

A. PUSCH信道功率降低1dB

B. PUCCH信道功率提升2dB

C. PUCCH信道功率提升0dB

D. PUSCH信道功率提升1dB

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【单选题】

LTE中，一个用户同时最多可以有( )个承载。

A. 10

B. 11

C. 12

D. 9

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【单选题】

对RSRP描述错误的是（）

A. 一定程度上可以用来反映移动台距离基站的远近，因此可以用来度量小区覆盖范围大小

B. 只通过RSRP即可以确定系统实际覆盖情况

C. RSRP是承载小区参考信号RE上的线性平均功率

D. RSRP是一个表示接收信号强度的绝对值

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【单选题】

12硅二极管的正向导通压降比锗二极管的___ 。

A. 大

B. 小

C. 相等

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【单选题】

13三端集成稳压器 CW7906的输出电压是___

A. -12v

B. -9v

C. -6V

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【单选题】

14稳压管的工作是利用伏安特性中的___。

A. 正向特性

B. 反向特性

C. 反向击穿特性

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【单选题】

15二极管具有___

A. 正向特性

B. 反向特性

C. 单向导电特性

D. 反向击穿特性

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【单选题】

16图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问___灯最亮。

A. A灯

B. B灯

C. C灯

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【单选题】

18在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。

A. U0=0.45U2

B. U0=1.2U2

C. U0=0.9U2

D. U0=1.4U2

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【单选题】

19在单相桥式整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。

A. U0=0.45U2

B. U0=1.2U2

C. U0=0.9U2

D. U0=1.4U2

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【单选题】

20在半波整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。

A. U0=0.45U2

B. U0=1.2U2

C. U0=0.9U2

D. U0=1.4U2

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【单选题】

21在半波整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。

A. U0=0.45U2

B. U0=1.2U2

C. U0=0.9U2

D. U0=1.4U2

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【单选题】

22温度影响了放大电路中的___，从而使静态工作点不稳定。

A. 电阻；

B. 电容；

C. 三极管；

D. 电源。

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【单选题】

23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是___。

A. [B、C、E]

B. [C、B、E]

C. [E、C、B]

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【单选题】

24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___

A. 饱和失真

B. 截止失真

C. 交越失真

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【单选题】

25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。

A. 多数载流子

B. 少数载流子

C. 多数载流子和少数载流子

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【单选题】

27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为___

A. 放大状态；

B. 截止状态；

C. 饱和状态；

D. 不能确定。

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【单选题】

28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。

A. 共基放大电路

B. 共集放大电路

C. 共射放大电路

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【单选题】

29在以下三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是___。

A. 共基放大电路

B. 共集放大电路

C. 共射放大电路

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【单选题】

30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___；

A. 共基放大电路

B. 共集放大电路

C. 共射放大电路

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【单选题】

当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC ___uB。

A. >

B. <

C. =

D. ≤

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【单选题】

32当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uB___uE 。

A. >

B. <

C. =

D. ≤

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【单选题】

33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为，，，说明此三极管处在___。

A. 放大区

B. 饱和区

C. 截止区

D. 反向击穿区

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【单选题】

34若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是___。

A. 发射结正偏、集电结正偏

B. 发射结反偏、集电结反偏

C. 发射结正偏、集电结反偏

D. 发射结反偏、集电结正偏

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【单选题】

35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。

A. 饱和失真

B. 截止失真

C. 交越失真

D. 频率失真

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【单选题】

36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。

A. 饱和失真

B. 截止失真

C. 交越失真

D. 频率失真

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【单选题】

37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。

A. 电压串联负反馈

B. 电流串联负反馈

C. 电压并联负反馈

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【单选题】

38为了使放大器带负载能力强，一般引入___负反馈。

A. 电压

B. 电流

C. 串联

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【单选题】

41为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用___负反馈 i=i1+i2

A. 电流

B. 电压

C. 并联

D. 串联

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【单选题】

42为了稳定输出电流，采用___负反馈。

A. 电流

B. 电压

C. 并联

D. 串联

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【单选题】

43为了改善放大器的动态性能，应该引入___电路。

A. 直流负反馈

B. 交流负反馈

C. 电压负反馈

D. 电流负反馈

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【单选题】

44为了稳定放大器的静态工作点，应该引入___电路。

A. 直流负反馈

B. 交流负反馈

C. 电压负反馈

D. 电流负反馈

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【单选题】

45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路___能力。

A. 放大差模抑制共模

B. 输入电阻高

C. 输出电阻低

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【单选题】

46差分放大电路是为了___而设置的。

A. 稳定Au

B. 放大信号

C. 抑制零点漂移

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【单选题】

47分析运放的“虚短”是指是___。

A. U-≈U+

B. I-≈I+≈0

C. U0=Ui

D. U-≈U+≈0

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【单选题】

48分析运放的“虚断”是指是___。

A. U-≈U+

B. I-≈I+≈0

C. I-≈I+

D. U-≈U+≈0

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【单选题】

51两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为 ___

A. -200mv；

B. -250mV；

C. 10V；

D. 100V

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【单选题】

52通用型集成运放的输入级多采用___。

A. 共基接法

B. 共集接法

C. 共射接法

D. 差分接法

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【单选题】

53理想运放的两个重要性质是___。

A. 虚短与虚地

B. 虚断与虚短

C. 断路与短路

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【单选题】

54振荡器的输出信号最初由___而来的。

A. 基本放大器

B. 选频网络

C. 干扰或噪声信号

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【单选题】

55产生正弦波自激震荡的稳定条件是___。

A. 引入正反馈

B. |AF|≥1

C. AF=1

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【单选题】

56从结构上来看，正弦振荡电路是一个 ___ 。

A. 有输入信号的负反馈放大器；

B. 没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器；

C. 没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。

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【单选题】

57对频率稳定度要求较高的振荡器，要采用： ___ 。

A. LC振荡电路；

B. RC振荡电路；

C. RL振荡电路；

D. 石英晶体振荡电路。

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